Datasheet下载- 型号： SI4838DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4838DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4838DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4838DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4838DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4838DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4838DY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率管理的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电池充电器，因其低导通电阻和高效率，有助于提升能源利用率。 2. 电机控制：用于直流电机驱动器和无刷电机控制系统，提供快速开关和高耐压特性，确保稳定运行。 3. 负载开关：作为电子负载开关，用于控制电源分配，如在服务器、工业控制系统中实现电源的通断管理。 4. 逆变器与变频器：适用于小型逆变器和变频设备，支持高效电能转换与调节。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、电动工具及辅助电机控制，满足汽车应用中对可靠性和效率的要求。 该器件采用小型封装，适合高密度电路设计，广泛应用于工业控制、通信设备和消费电子产品中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4838DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 600mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 毫欧 @ 25A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Ta） |
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