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  • 型号: TK12A60D(STA4,Q,M)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TK12A60D(STA4,Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK12A60D(STA4,Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK12A60D(STA4,Q,M)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK12A60D(STA4,Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK12A60D(STA4,Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK12A60D点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

TK12A60D(STA4,Q,M)

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1800pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

38nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

550 毫欧 @ 6A,10V

供应商器件封装

TO-220SIS

其它名称

TK12A60D(STA4QM)
TK12A60DSTA4QM

功率-最大值

45W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 整包

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Ta)

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