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Datasheet下载- 型号： TK12A60D(STA4,Q,M)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK12A60D(STA4,Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK12A60D(STA4,Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK12A60D(STA4,Q,M)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK12A60D(STA4,Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK12A60D(STA4,Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK12A60D（STA4,Q,M） 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET 晶体管，主要应用于需要高效功率转换和控制的电子设备中。该器件是一款 N沟道增强型MOSFET，具备高耐压（600V）、低导通电阻和高电流容量的特点，适合用于以下场景： 1. 电源供应器：如AC/DC适配器、开关电源（SMPS）中，用于提高能量转换效率并减少发热。 2. 电机驱动：应用于电动工具、风扇、泵类等电机控制电路，提供快速开关与稳定功率输出。 3. 照明系统：包括LED驱动电源与高频镇流器，支持高效能与小型化设计。 4. 工业自动化设备：用于PLC、伺服驱动器及变频器等，确保在严苛环境下稳定运行。 5. 消费类电子产品：如变频空调、电磁炉等家电中的功率控制模块。 该MOSFET具备良好的热稳定性和耐用性，适合高频开关应用，有助于降低系统损耗并提升整体能效。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK12A60D点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK12A60D(STA4,Q,M) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 550 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 其它名称 | TK12A60D(STA4QM) |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta） |
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