Datasheet下载- 型号： FQB9N50TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB9N50TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB9N50TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB9N50TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB9N50TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB9N50TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB9N50TM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）类别。该器件广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，用于提高能量转换效率。 2. 电机驱动电路：在电动工具、家用电器及工业自动化设备中作为开关元件使用。 3. 负载开关：用于控制电池供电设备中的电源通断，实现节能管理。 4. 照明系统：如LED驱动电源中，用于调节亮度或实现智能控制。 5. 汽车电子：如车载充电器、车身控制模块等对可靠性要求较高的环境中。 FQB9N50TM具有低导通电阻、高耐压（500V）、封装小巧等特点，适合高频开关应用，有助于减小系统体积并提升整体效率。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB9N50TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 730 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Tc） |
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