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IRFD9110PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD9110PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD9110PBF价格参考。VishayIRFD9110PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 100V 700mA(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP。您可以下载IRFD9110PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFD9110PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRFD9110PBF 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 电源管理 - 该器件适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于提高效率并减少能量损耗。 - 在电池管理系统中,可用于充放电控制、保护电路以及负载切换。 2. 电机驱动与控制 - IRFD9110PBF 可用于小型直流电机的驱动和控制,例如家用电器中的风扇、水泵或玩具电机。 - 它可以实现 PWM 调速功能,通过调节占空比来控制电机转速。 3. 负载切换 - 在消费电子设备中,如智能手机、平板电脑或笔记本电脑,该 MOSFET 可用作负载开关,实现快速开启/关闭外围设备以节省功耗。 - 也适用于汽车电子系统中的负载切换,例如车窗升降器、雨刷器等。 4. 信号切换与隔离 - 在通信设备或工业控制系统中,IRFD9110PBF 可用于信号路径的切换和隔离,确保不同电路之间的电气隔离。 5. 逆变器与太阳能应用 - 该器件可用于微型逆变器中,将直流电转换为交流电,适用于家庭太阳能发电系统的小功率逆变模块。 6. 保护电路 - 在过流保护、短路保护和热保护电路中,IRFD9110PBF 可作为关键元件。其快速开关特性和高耐压能力(500V 额定电压)使其能够在异常情况下迅速切断电流。 7. 音频放大器 - 在某些低功率音频放大器设计中,该 MOSFET 可用作输出级开关,提供高效能的声音信号放大。 总结 IRFD9110PBF 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛应用于各种需要高效能功率转换和控制的场景。其典型工作环境包括消费类电子产品、工业自动化设备、汽车电子以及可再生能源领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 100V 700MA 4-DIPMOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 700 mA |
Id-连续漏极电流 | 700 mA |
品牌 | Vishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFD9110PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFD9110PBF |
Pd-PowerDissipation | 1300 mW |
Pd-功率耗散 | 1.3 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 27 ns |
下降时间 | 27 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 200pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.7nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.2 欧姆 @ 420mA,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
其它名称 | *IRFD9110PBF |
典型关闭延迟时间 | 15 ns |
功率-最大值 | 1.3W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
封装/箱体 | HexDIP-4 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 700mA (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |