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DMG4466SSS-13产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG4466SSS-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG4466SSS-13价格参考。Diodes Inc.DMG4466SSS-13封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 1.42W(Ta) 8-SOP。您可以下载DMG4466SSS-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMG4466SSS-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMG4466SSS-13是一款P沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和负载开关等场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于电池供电设备中的电源开关控制,如笔记本电脑、平板电脑和移动电源等,具有低导通电阻(Rds(on)),可减少功率损耗,提高能效。 2. 负载开关:在需要控制高负载电流的电路中作为电子开关使用,如DC-DC转换器、电机驱动和LED照明系统等,具有较高的开关速度和稳定性。 3. 保护电路:用于过流保护、浪涌电流限制和热保护电路中,防止电路异常时对系统造成损坏。 4. 消费类电子产品:广泛应用于智能手机、智能穿戴设备、家用电器等对体积和功耗有较高要求的电子产品中,因其采用小型封装,节省PCB空间。 5. 工业控制:在工业自动化设备中作为功率开关元件,用于控制继电器、传感器和执行器等外围设备。 该MOSFET具备高可靠性、低功耗和快速响应等特点,适合多种中低功率应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOMOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
Id-连续漏极电流 | 10 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG4466SSS-13- |
数据手册 | |
产品型号 | DMG4466SSS-13 |
PCN其它 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1.42 W |
Pd-功率耗散 | 1.42 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 33 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
上升时间 | 7.9 ns |
下降时间 | 3.1 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 478.9pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 23 毫欧 @ 10A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOP |
其它名称 | DMG4466SSS-13DITR |
典型关闭延迟时间 | 14.6 ns |
功率-最大值 | 1.42W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Ta) |
系列 | DMG4466 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |