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  • 型号: IRFI9520GPBF
  • 制造商: Vishay
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IRFI9520GPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI9520GPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI9520GPBF价格参考。VishayIRFI9520GPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 100V 5.2A(Tc) 37W(Tc) TO-220-3。您可以下载IRFI9520GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFI9520GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFI9520GPBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件广泛应用于需要高效开关和功率控制的电子系统中。

其主要应用场景包括:

1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)等,因其具有低导通电阻(Rds(on))和高效率特性,适合高频开关应用。

2. 电机驱动:在直流电机或步进电机的控制电路中作为开关元件,提供快速响应和良好热稳定性。

3. 负载开关与继电器替代:在工业控制或自动化系统中,用作固态开关以取代机械继电器,提高可靠性和寿命。

4. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制,支持高电流能力使其适用于电动工具、电动车及储能系统。

5. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)或逆变器中用于将直流电转换为交流电,实现高效能量转换。

6. 汽车电子:如车载充电系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的环境中。

该器件采用 TO-262 封装,具备良好的散热性能,适用于中高功率应用。设计时需注意其最大电压和电流参数,确保在安全工作范围内使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220FPMOSFET P-Chan 100V 5.2 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5.2 A

Id-连续漏极电流

5.2 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFI9520GPBF-

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产品型号

IRFI9520GPBFIRFI9520GPBF

Pd-PowerDissipation

37 W

Pd-功率耗散

37 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

600 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

600 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 100 V

Vds-漏源极击穿电压

- 100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

29 ns

下降时间

25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

390pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

600 毫欧 @ 3.1A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

*IRFI9520GPBF

典型关闭延迟时间

21 ns

功率-最大值

37W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 全封装,隔离接片

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.2A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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