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型号： TK16E60W,S1VX
制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供TK16E60W,S1VX由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK16E60W,S1VX价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK16E60W,S1VX封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-220。您可以下载TK16E60W,S1VX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK16E60W,S1VX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Toshiba Semiconductor and Storage的TK16E60W,S1VX是一款单通道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效开关和功率管理的电子设备中。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
   - 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于各种开关电源设计，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。它能够快速开关，降低能量损耗，提高电源效率。
   - 电池管理系统（BMS）：在电池管理系统中，MOSFET用于控制充电和放电过程中的电流流动，确保电池的安全和稳定运行。

 2. 电机驱动
   - 直流电机驱动：TK16E60W,S1VX可用于驱动小型直流电机，特别是在电动工具、家用电器（如风扇、吸尘器）等领域，提供高效的电流控制和保护功能。
   - 步进电机和伺服电机：在精密控制场合，如自动化设备、机器人等，MOSFET可以精确控制电机的速度和位置。

 3. 工业自动化
   - 可编程逻辑控制器（PLC）：MOSFET在PLC中用于信号隔离和输出控制，确保工业控制系统中的可靠性和稳定性。
   - 变频器：用于调整电机的转速和频率，实现节能和精确控制，常见于工厂自动化生产线。

 4. 消费电子产品
   - 笔记本电脑和平板电脑：MOSFET用于电源管理和散热控制，确保设备在高性能模式下仍能保持低功耗和良好散热。
   - 智能手机和智能穿戴设备：在这些便携式设备中，MOSFET用于电源管理芯片（PMIC）和电池保护电路，延长电池寿命并提高安全性。

 5. 汽车电子
   - 车载充电器和逆变器：MOSFET用于将车辆的直流电源转换为交流电源，为车载设备供电。
   - 电动助力转向系统（EPS）：MOSFET用于控制电动助力转向系统的电机，提供精确的转向辅助。

 6. 照明系统
   - LED驱动器：在LED照明应用中，MOSFET用于调节电流，确保LED灯的亮度和寿命，同时提高能效。

总的来说，TK16E60W,S1VX凭借其高效、可靠的性能，在多个领域中发挥着重要作用，尤其适合需要高开关速度和低导通电阻的应用场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
Ciss-输入电容	1350 pF
描述	MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	超级结
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	15.8 A
Id-连续漏极电流	15.8 A
品牌	ToshibaToshiba Semiconductor and Storage
产品手册	http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK16E60W
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Toshiba TK16E60W,S1VX-
数据手册	http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK16E60W
产品型号	TK16E60W,S1VXTK16E60W,S1VX
Pd-PowerDissipation	130 W
Pd-功率耗散	130 W
Qg-GateCharge	30 nC
Qg-栅极电荷	30 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	160 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	160 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	600 V
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.7 V to 3.7 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.7 V to 3.7 V
上升时间	25 ns
下降时间	5 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.7V @ 790µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1350pF @ 300V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	38nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	190 毫欧 @ 7.9A, 10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220
其它名称	TK16E60WS1VX
典型关闭延迟时间	100 ns
功率-最大值	130W
包装	管件
商标	Toshiba
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	15.8A （Ta）
通道模式	Enhancement
配置	Single