【未分类_IPB010N06NATMA1】封装/厂家_IPB010N06NATMA1中文资料_价格

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型号： IPB010N06NATMA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB010N06NATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB010N06NATMA1价格参考。InfineonIPB010N06NATMA1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IPB010N06NATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB010N06NATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌）的IPB010N06NATMA1是一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有60V的漏源电压（VDS）和低导通电阻（RDS(on)），适用于高效率、低损耗的开关应用。

其主要应用场景包括：

1. 电源管理：广泛用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器中，如笔记本电脑、路由器和通信设备的电源模块，因其低导通电阻可提高能效，减少发热。

2. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的控制电路，常见于家电（如风扇、洗衣机）、电动工具和工业自动化设备中。

3. 电池供电系统：在便携式设备（如移动电源、电动自行车控制器）中用于电池充放电管理与负载开关，支持高效能量利用。

4. 照明系统：用于LED驱动电源，特别是在需要调光或恒流控制的场合，提供稳定可靠的开关性能。

5. 汽车电子：虽然非车规级主芯片，但在部分车载辅助电源系统或12V低压应用中也可使用，如车载充电器、车灯控制模块等。

该MOSFET采用TSDSON-8封装，体积小，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热性能，适用于对空间和散热有要求的设计。总体而言，IPB010N06NATMA1是一款高性能、高可靠性的功率开关器件，适用于多种中低电压、中等电流的电力电子应用场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	180 A
Id-连续漏极电流	180 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET MV POWER MOS
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB010N06NATMA1
产品型号	IPB010N06NATMA1
Pd-PowerDissipation	300 W
Pd-功率耗散	300 W
Qg-GateCharge	208 nC
Qg-栅极电荷	208 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	1 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	1 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
上升时间	36 ns
下降时间	23 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	74 ns
商标	Infineon Technologies
商标名	OptiMOS
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/箱体	D2PAK-6
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
正向跨导-最小值	310 S
系列	IPB010N06
配置	Single
零件号别名	SP000917410