Datasheet下载- 型号： IRFR220TRPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR220TRPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR220TRPBF价格参考。VishayIRFR220TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR220TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR220TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR220TRPBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于 FET 类中的 MOSFET 单管器件。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能的特点，广泛应用于多种电力电子电路中。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等，作为主开关元件，实现高效的能量转换。 2. 电机控制：在直流电机驱动器或步进电机控制系统中，用作功率开关，控制电机的启停与转速。 3. 负载开关：在电池供电设备中，作为负载开关控制电源通断，以提高能效并延长电池寿命。 4. 照明系统：如 LED 驱动器中，用于调节电流或作为开关元件，实现调光功能。 5. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）或逆变器中，用于将直流电转换为交流电，实现电源备份与转换。 6. 工业自动化：在工业控制系统中，用于继电器替代、电磁阀驱动等高频率开关应用。 该器件采用 TO-220 封装，便于散热，适合中高功率应用，且符合 RoHS 标准，适用于环保要求较高的电子产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAKMOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR220TRPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR220TRPBFIRFR220TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 800 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 800 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 260pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 800 毫欧 @ 2.9A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRFR220PBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 800 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 4.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.8A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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