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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP064由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP064价格参考。VishayIRFP064封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFP064参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP064 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFP064 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件常用于需要高效能开关和高电流承载能力的电路中。 主要特点: - 高电压和大电流特性 - 低导通电阻(Rds(on)) - 快速开关速度 - 耐高温性能好 常见应用场景: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中作为高频开关使用,提高能量转换效率。 2. 电机控制:在直流电机驱动器或无刷电机控制器中,用作功率开关,实现对电机转速与方向的控制。 3. 逆变器与UPS系统:用于将直流电转换为交流电的逆变器设备中,以及不间断电源系统中,提供稳定电力输出。 4. 工业自动化设备:在PLC、伺服驱动器等工业控制系统中,作为负载开关或功率调节元件。 5. 汽车电子:例如车灯控制、电动窗、座椅调节等车载电源管理系统中。 6. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制,保护电池组免受过流或短路损害。 总之,IRFP064 凭借其优良的电气性能和可靠性,广泛应用于各种中高功率电子设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 70A TO-247ACMOSFET N-Chan 60V 70 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 70 A |
Id-连续漏极电流 | 70 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFP064- |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91201 |
产品型号 | IRFP064IRFP064 |
Pd-PowerDissipation | 300 W |
Pd-功率耗散 | 300 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 190 ns |
下降时间 | 190 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7400pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 190nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 78A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它名称 | *IRFP064 |
典型关闭延迟时间 | 110 ns |
功率-最大值 | 300W |
功率耗散 | 300 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 9 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 500 |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 70 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 70A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |