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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6618由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6618价格参考。International RectifierIRF6618封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF6618参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF6618 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRF6618的MOSFET属于功率场效应晶体管(FET),广泛应用于需要高效、高频率开关性能的电力电子系统中。其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和开关电源(SMPS),用于提高能效与功率密度。 2. 电机控制:常见于无刷直流电机(BLDC)、伺服电机及电动工具中,实现精准的速度与扭矩调节。 3. 逆变器系统:在太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中作为核心开关元件,将直流电转换为交流电。 4. 汽车电子:适用于车载充电系统、电池管理系统(BMS)及车身控制模块,满足车规级可靠性要求。 5. 工业自动化:用于PLC控制器、工业变频器及智能家电中,支持高频切换与低导通损耗。 IRF6618具备低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适合高效率、小体积设计需求,在中高功率应用中表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF6618 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5640pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.2 毫欧 @ 30A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | DIRECTFET™ MT |
其它名称 | *IRF6618 |
其它有关文件 | |
功率-最大值 | 2.8W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MT |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Ta), 170A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6618.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6618.spi |