ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRLU024NPBF
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRLU024NPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLU024NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLU024NPBF价格参考¥1.90-¥2.08。International RectifierIRLU024NPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 55V 17A(Tc) 45W(Tc) IPAK(TO-251)。您可以下载IRLU024NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLU024NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLU024NPBF 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号的应用场景广泛,适用于多种电力电子领域。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) IRLU024NPBF 的低导通电阻(Rds(on))和低栅极电荷特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电压和电流的切换,从而提高电源转换效率。 2. 电机驱动 该 MOSFET 常用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。其低 Rds(on) 可减少导通损耗,适合低电压、高效率的电机控制应用,例如家用电器、玩具和自动化设备。 3. 电池管理 在电池管理系统中,IRLU024NPBF 可用作充电/放电控制开关或保护电路中的关键元件,确保电池的安全运行并延长使用寿命。 4. 负载开关 由于其快速开关特性和低导通损耗,IRLU024NPBF 被广泛应用于消费电子产品的负载开关设计中,如智能手机、平板电脑和其他便携式设备。 5. 逆变器与太阳能系统 在小型逆变器或太阳能微逆变器中,该器件可以作为功率级开关,帮助实现高效的能量转换。 6. 音频放大器 在 Class D 音频放大器中,IRLU024NPBF 可用作输出级开关,提供高效率和低失真的音频信号放大。 7. 汽车电子 尽管 IRLU024NPBF 主要针对工业和消费类应用,但在某些低功率汽车子系统中,如座椅调节、车窗升降等,也可以使用该 MOSFET。 总结来说,IRLU024NPBF 凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于需要高效功率开关的各种场景,尤其是在低电压、中小功率的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 17A I-PAKMOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLU024NPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLU024NPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 38 W |
| Pd-功率耗散 | 38 W |
| Qg-GateCharge | 10 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 110 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 480pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | *IRLU024NPBF |
| 功率-最大值 | 45W |
| 功率耗散 | 38 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 110 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 10 nC |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 17 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlru024n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlru024n.spi |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |