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RTL035N03TR产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RTL035N03TR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RTL035N03TR价格参考¥1.41-¥2.06。ROHM SemiconductorRTL035N03TR封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 30V 3.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6。您可以下载RTL035N03TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RTL035N03TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RTL035N03TR是一款N沟道MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),广泛应用于中小功率电源管理和开关电路中。其主要特点包括低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和良好的热稳定性,适合高效能、小体积的设计需求。 该型号常用于以下应用场景: 1. 电源管理:在DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)和电池供电设备中,用于提高转换效率,降低功耗。 2. 负载开关:适用于便携式电子产品(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的电源开关控制,实现快速启停和低静态电流。 3. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件,控制电机的启停与方向。 4. LED驱动:用于LED照明系统的开关控制,支持PWM调光,提升能效。 5. 消费类电子:广泛应用于家电控制板、USB充电接口、电源适配器等需要高效开关功能的场合。 RTL035N03TR采用小型表面贴装封装(如SOP-8),节省PCB空间,适合高密度布局,同时具备良好的散热性能。其30V的漏源电压和3.5A的连续漏极电流能力,使其在低压、中等电流的应用中表现出色。总体而言,该MOSFET适用于追求高效率、小型化和可靠性的现代电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RTL035N03TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RTL035N03TR |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 560 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 560 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 56 毫欧 @ 3.5A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TUMT6 |
| 其它名称 | RTL035N03CT |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
| 封装/箱体 | TUMT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.5A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |