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详细数据请看参考数据手册
- 型号： RZR040P01TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RZR040P01TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RZR040P01TL价格参考￥13125.39-￥13125.39。ROHM SemiconductorRZR040P01TL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RZR040P01TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RZR040P01TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor（罗姆半导体）的型号 RZR040P01TL 是一款P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单MOSFET器件。该器件通常用于电源管理和负载开关等应用场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于DC-DC转换器、电池供电设备中的电压调节，具有低导通电阻特性，有助于提高能效并减少发热。 2. 负载开关应用：可用于控制电源到负载的通断，例如在笔记本电脑、平板电脑和智能手机中作为电源开关使用，具备快速开关能力和较低的导通损耗。 3. 电机驱动与继电器替代：由于其高可靠性和响应速度快的特点，适合用于小型电机控制或替代传统机械继电器，实现更长寿命和更高稳定性。 4. 工业控制系统：可应用于工业自动化设备中的电源控制模块，如PLC、传感器供电控制等场合。 5. 汽车电子系统：适用于车载电源系统、LED照明控制、电动助力转向系统等对可靠性要求较高的汽车应用。 该MOSFET采用小型封装，适合空间受限的设计，同时具备良好的热稳定性和耐用性，适合中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -4A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RZR040P01TL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RZR040P01TL |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| Qg-GateCharge | 30 nC |
| Qg-栅极电荷 | 30 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 22 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2350pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT3 |
| 其它名称 | RZR040P01TLCT |
| 典型关闭延迟时间 | 380 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TSMT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 6.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
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