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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RRH100P03TB1由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RRH100P03TB1价格参考。ROHM SemiconductorRRH100P03TB1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RRH100P03TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RRH100P03TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RRH100P03TB1是罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),主要用于电源管理与开关控制场合。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性,适用于需要高效能功率切换的应用。 典型应用场景包括:便携式电子设备的电源开关控制,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池管理系统;各类消费类电子产品中的负载开关或反向电流保护电路;工业控制模块中的直流电机驱动与继电器驱动电路;以及电源适配器、充电器等电源转换设备中的同步整流或开关元件。 由于其P沟道结构,RRH100P03TB1在栅极电压低于源极时导通,适合用于高端开关配置,简化驱动电路设计。此外,该器件采用紧凑型封装,有利于节省PCB空间,广泛应用于对空间和能效要求较高的小型化电子产品中。 综上,RRH100P03TB1凭借其优良的电气性能和可靠性,主要服务于消费电子、工业控制和电源管理等领域,特别适用于低电压、中等电流的开关应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 10A SOP8MOSFET Pch -30V -10A MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,4V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RRH100P03TB1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RRH100P03TB1 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3600pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12.6 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | RRH100P03TB1DKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 13 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Ta) |