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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH3375-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH3375-TL-H价格参考。ON SemiconductorMCH3375-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MCH3375-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCH3375-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH3375-TL-H 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单N沟道增强型MOSFET,常用于需要高效开关和低导通电阻的应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器和电池充电电路,适用于笔记本电脑、平板和便携设备中的高效电源系统。 2. 负载开关:用于控制电源供应,如在热插拔设备或电源分配系统中实现快速开关和低损耗。 3. 电机驱动:小型电机或步进电机的控制电路,适用于家电、无人机或机器人等设备。 4. LED照明:作为调光或开关控制元件,用于LED驱动电路中,提供高效稳定的电流控制。 5. 消费电子:如智能手机、穿戴设备和智能家居设备中的电源管理模块。 6. 工业控制:用于PLC、传感器模块或小型工业设备中的信号或电源切换。 该器件采用小型封装,适合空间受限的设计,同时具备低导通电阻和高开关速度,有助于提升系统能效和减小发热。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 1.6A 30V MCPH3MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 1.6 A |
| Id-连续漏极电流 | - 1.6 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MCH3375-TL-H- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MCH3375-TL-H |
| Pd-PowerDissipation | 0.8 W |
| Pd-功率耗散 | 800 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 295 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 295 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 82pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 295 毫欧 @ 800mA,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-MCPH |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | MCPH-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.6A (Tc) |
| 系列 | MCH3375 |