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产品简介:
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STMicroelectronics的STW20NB50是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电源适配器,支持高效率和高频操作,有助于减小电源体积并提升能效。 2. 电机驱动:用于直流电机或步进电机的驱动电路中,提供快速开关响应和低导通电阻,提升电机控制精度与效率。 3. 逆变器与变频器:在太阳能逆变器、UPS(不间断电源)及工业变频器中,作为核心功率开关元件,实现直流到交流的高效转换。 4. 汽车电子:应用于车载充电系统、电动助力转向(EPS)及车身控制模块,具备高可靠性和耐压能力,适应复杂车载环境。 5. 工业自动化:用于工业控制设备中的负载开关、继电器替代及高频PWM控制,提升系统响应速度与稳定性。 该器件具备低导通电阻(Rds(on))、高耐压(500V)和大电流承载能力(20A),适合高功率密度和高效率设计需求。其封装形式(如TO-247)便于散热,适用于多种功率电子系统。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STW20NB50 |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | PowerMESH™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 250 毫欧 @ 10A,10V |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它名称 | 497-2662-5 |
功率-最大值 | 250W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |