Datasheet下载- 型号： SI1489EDH-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1489EDH-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1489EDH-T1-GE3价格参考。VishaySI1489EDH-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1489EDH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1489EDH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1489EDH-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，适用于多种电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻、高可靠性及小型封装，适合在空间受限和效率要求高的设计中使用。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的高效电源控制。 2. 电机驱动：在小型电机或步进电机的驱动电路中作为开关元件。 3. 负载开关与保护电路：用于热插拔电路、过载保护和电源路径控制。 4. 工业自动化：如PLC模块、传感器电源控制等场合。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携设备中的功率控制部分。 6. 汽车电子：用于车载充电系统、车身控制模块等对可靠性和稳定性要求较高的场景。 该MOSFET采用TDFN封装，尺寸小巧，支持表面贴装工艺，适合高密度PCB布局。其性能稳定，广泛应用于需要高效能与低功耗结合的设计中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SI1489EDH-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 48 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Tc） |
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