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STP100N10F7产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP100N10F7由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP100N10F7价格参考。STMicroelectronicsSTP100N10F7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 80A(Tc) 150W(Tc) TO-220。您可以下载STP100N10F7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP100N10F7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的型号STP100N10F7是一款N沟道MOSFET,其应用场景主要包括以下几个方面: 1. 开关电源(SMPS) - STP100N10F7适用于开关电源的设计,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻(Rds(on))特性能够降低功耗,提高效率。 - 在反激式、正激式或降压/升压拓扑中,该MOSFET可用作主开关管。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,提供高效的开关控制。 - 在H桥或半桥电路中,作为功率级元件实现电机的正转、反转和速度调节。 3. 负载开关 - 在需要高电流负载切换的应用中,例如工业设备、家电或汽车电子系统,STP100N10F7可以作为负载开关使用。 - 其额定电压为100V,额定电流高达100A(脉冲),适合处理大功率负载。 4. 电池管理系统(BMS) - 在电池保护电路中,用作充放电路径的开关元件,确保电池安全运行。 - 可用于电动车、储能系统或其他需要高效能量管理的场景。 5. 逆变器 - 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,作为功率开关元件,将直流电转换为交流电。 - 其快速开关特性和低损耗有助于提高逆变器的整体效率。 6. LED驱动 - 在高功率LED照明应用中,STP100N10F7可以用作开关元件,配合恒流源驱动电路,确保LED亮度稳定。 7. 汽车电子 - 在汽车电子系统中,例如电动窗、座椅调节、雨刷电机控制等,该MOSFET能够承受较高的电压和电流。 - 还可用于车载充电器或DC-DC转换模块中。 8. 工业自动化 - 在工业控制领域,如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等,该MOSFET可用于信号放大、功率输出或电磁阀驱动。 总结 STP100N10F7凭借其高性能参数(如低Rds(on)、高耐压和大电流能力),广泛应用于电力电子、电机控制、能源管理和汽车电子等领域。其可靠性与耐用性使其成为许多高要求应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 100V 80A TO-220MOSFET N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP100N10F7DeepGATE™, STripFET™ VII |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP100N10F7 |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Qg-GateCharge | 56 nC |
| Qg-栅极电荷 | 56 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4369pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 61nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 毫欧 @ 40A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-13550-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF254141?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 46 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/stp310n10f7/50140 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |
| 系列 | STP100N10F7 |
| 配置 | Single |