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Datasheet下载- 型号： FDN327N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN327N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN327N价格参考￥1.02-￥1.48。Fairchild SemiconductorFDN327N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDN327N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDN327N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的FDN327N是一款N沟道MOSFET，属于小信号MOSFET类别，广泛应用于低电压、低功耗的开关和控制场景。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于FDN327N具有低导通电阻（RDS(on)）和低阈值电压，适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间和功耗敏感的产品中，常用于电源管理开关、负载开关或电池供电路径控制。 2. 电源管理电路：在DC-DC转换器、LDO使能控制、电压调节模块中，FDN327N可作为高效开关元件，实现快速响应和低损耗。 3. 逻辑电平转换与驱动：适用于微控制器与外围器件之间的电平转换电路，例如将3.3V逻辑信号驱动5V系统，或用于I²C总线缓冲增强驱动能力。 4. 电机驱动与继电器控制：在小型直流电机、步进电机或电磁继电器的驱动电路中，作为低边开关使用，控制电流通断。 5. LED驱动与照明控制：可用于便携式LED照明或背光控制，实现PWM调光功能，具备良好的开关特性。 6. 消费类电子产品：如家用电器、遥控器、充电器等内部的小功率开关控制。 FDN327N采用SOT-23封装，体积小巧，便于高密度布局，适合自动化贴片生产。其可靠的性能和高性价比使其成为众多工业、消费类及便携式应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3MOSFET N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN327NPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDN327N |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 6.5 ns |
| 下降时间 | 6.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 423pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 其它名称 | FDN327N-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SSOT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
| 系列 | FDN327N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDN327N_NL |
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