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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRF6643TR1PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6643TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6643TR1PBF价格参考。International RectifierIRF6643TR1PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6643TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6643TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF6643TR1PBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括： 1. 电源管理： IRF6643TR1PBF适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够减少功率损耗，提高效率，特别适合高电流、高频开关的应用。 2. 电机驱动： 该器件可用于无刷直流电机（BLDC）驱动器、步进电机控制器和其他类型的电机控制电路中。其快速开关速度和低功耗性能有助于实现高效的电机驱动。 3. 负载切换： 在需要频繁开启或关闭负载的电路中，例如汽车电子设备或工业控制系统，IRF6643TR1PBF可以作为负载开关使用，确保稳定性和可靠性。 4. 电池管理系统（BMS）： 该MOSFET可应用于电池保护电路中，用于充放电控制和过流保护。其低导通电阻特性有助于降低电池系统中的热损耗。 5. 通信设备： 在基站、路由器和其他通信设备中，IRF6643TR1PBF可用作功率级开关元件，支持高效的数据传输和信号处理。 6. 消费类电子产品： 包括笔记本电脑适配器、平板电脑充电器和家用电器等产品中，这款MOSFET可提供高性能的功率转换解决方案。 7. 汽车电子： 在汽车领域，IRF6643TR1PBF适用于车身控制模块（BCM）、LED照明驱动和车载信息娱乐系统等应用，满足严格的车规级要求。 总结来说，IRF6643TR1PBF凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于各种需要高效功率转换和开关控制的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFETMOSFET MOSFT 150V 35A 35mOhm 39nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.2 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6643TR1PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6643TR1PBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 89 W |
| Pd-功率耗散 | 89 W |
| Qg-GateCharge | 39 nC |
| Qg-栅极电荷 | 39 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 29 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 29 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.9 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 4.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.9V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2340pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 55nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 34.5 毫欧 @ 7.6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MZ |
| 其它名称 | IRF6643TR1PBFDKR |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MZ |
| 封装/箱体 | DirectFET-7 MZ |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 16 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.2A （Ta）， 35A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6643pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6643pbf.spi |
| 配置 | Single |
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