Datasheet下载- 型号： SI3457BDV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3457BDV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3457BDV-T1-GE3价格参考。VishaySI3457BDV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3457BDV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3457BDV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3457BDV-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：SI3457BDV-T1-GE3 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于高效能的降压或升压 DC-DC 转换电路中，作为开关元件。 - 负载开关：在便携式设备中，该 MOSFET 可用作负载开关，控制电流流向特定负载，同时减少功耗和发热。 - 电池管理系统 (BMS)：用于保护电池组免受过流、短路等故障影响，确保电池安全。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于驱动小型直流电机或步进电机，提供高效的开关和调速功能。 - H 桥电路：在 H 桥配置中，该 MOSFET 可以实现电机的正转、反转及制动操作。 3. 信号切换 - 高速信号切换：由于其快速开关速度，SI3457BDV-T1-GE3 可用于高频信号路径中的切换应用，例如数据通信或音频信号处理。 - 多路复用器/解复用器：在需要对多个输入/输出通道进行选择时，该器件可以作为开关元件使用。 4. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：在这些设备中，该 MOSFET 可用于电源管理单元 (PMU) 或 USB 充电接口的保护与控制。 - 笔记本电脑适配器：用于适配器内部的功率转换和保护电路中。 5. 工业自动化 - 传感器接口：在工业控制系统中，该 MOSFET 可用作传感器信号的开关或放大元件。 - 继电器替代：在需要频繁开关的场景中，可以用该 MOSFET 替代传统机械继电器，提高可靠性和寿命。 6. 汽车电子 - 车载充电器：用于车载 USB 充电器或逆变器中的功率转换部分。 - LED 照明驱动：为汽车内外部 LED 灯提供精确的电流控制。 总之，SI3457BDV-T1-GE3 凭借其低导通电阻、高开关速度和可靠性，广泛应用于各种需要高效功率转换和信号切换的场合，特别是在便携式设备、消费电子产品和工业控制领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOPMOSFET 30V 5.0A 2.0W 54mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72019 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3457BDV-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3457BDV-T1-GE3SI3457BDV-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.14 W |
| Pd-功率耗散 | 1.14 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 54 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 54 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 54 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 1.14W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.7A （Ta） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3457BDV-GE3 |
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