Datasheet下载- 型号： IXFP10N60P
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFP10N60P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFP10N60P价格参考。IXYSIXFP10N60P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFP10N60P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFP10N60P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFP10N60P是一款高压N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），常用于高电压、中等电流的开关应用。其耐压高达600V，适合工作在高压电源系统中。 该器件主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动等电力电子设备中。由于具备较高的击穿电压和良好的热稳定性，IXFP10N60P广泛用于工业控制、UPS不间断电源、照明镇流器（如高强度气体放电灯HID）以及太阳能逆变系统中。 此外，该MOSFET采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适合在高温环境下稳定运行。其快速开关特性有助于提高系统效率，减少能量损耗，因此也适用于高频开关电路。 总之，IXFP10N60P凭借其高耐压、可靠性和耐用性，广泛应用于需要高效、稳定直流高压转换与控制的工业、能源和电源管理领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220MOSFET HiPERFET Id10 BVdass600 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFP10N60PPolar™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFP10N60P |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 740 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 740 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 21 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1610pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 740 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.300 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 系列 | IXFP10N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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