Datasheet下载- 型号： STB18N60M2
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB18N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB18N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTB18N60M2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB18N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB18N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB18N60M2是一款N沟道增强型功率MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS） - STB18N60M2适用于各种开关电源设计，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其600V的击穿电压和低导通电阻（Rds(on)）使其能够在高压环境下高效工作。 - 在反激式、正激式或LLC谐振拓扑中，该器件可用作主开关管。 2. 电机驱动 - 用于工业自动化设备中的电机控制，例如步进电机、直流无刷电机（BLDC）等。其高耐压和低损耗特性能够满足电机驱动对效率和可靠性的要求。 - 可应用于家用电器（如洗衣机、空调风扇）中的电机控制电路。 3. 逆变器 - 在光伏逆变器、UPS（不间断电源）或其他类型的逆变器中，STB18N60M2可以用作功率级开关元件。它支持高频开关操作，从而提高整体系统的效率。 4. 负载切换与保护 - 用于汽车电子系统中的负载切换，例如车灯控制、电动座椅调节、电动车窗等。其坚固的设计可以承受负载突变和瞬态电压冲击。 - 提供过流保护和短路保护功能，确保系统稳定运行。 5. PFC（功率因数校正）电路 - 在有源功率因数校正（APFC）电路中，STB18N60M2可作为升压开关使用，帮助改善输入电流波形并提高功率因数。 6. 电池管理系统（BMS） - 在电动汽车或储能系统的电池管理中，该器件可用于充放电路径的控制，以及高压电池组的保护。 特性优势： - 高耐压：600V击穿电压适合高压应用。 - 低导通电阻：在导通状态下减少功率损耗，提升效率。 - 快速开关速度：降低开关损耗，适合高频应用。 - 热性能优异：具备良好的散热能力，适合长时间连续工作。 综上所述，STB18N60M2广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景，尤其在高压、高频环境中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V D2PAKMOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB18N60M2MDmesh™ II Plus |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB18N60M2 |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 21.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 21.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 255 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 255 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 10.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 791pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-13933-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 47 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
| 系列 | STB18N60M2 |
| 配置 | Single |
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