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  • 型号: DMN4030LK3-13
  • 制造商: Diodes Inc.
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DMN4030LK3-13产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMN4030LK3-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN4030LK3-13价格参考。Diodes Inc.DMN4030LK3-13封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 9.4A(Ta) 2.14W(Ta) TO-252-3。您可以下载DMN4030LK3-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN4030LK3-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated的DMN4030LK3-13是一款P沟道增强型MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式设备中的电池供电系统,作为负载开关或电源切换元件,具备低导通电阻、提高效率的特点。

2. DC-DC转换器:用于同步整流或开关元件,提升转换效率,适用于小型化电源模块和适配器设计。

3. 电机驱动与负载控制:在小型电机、风扇或继电器驱动电路中,作为高效开关使用,支持快速开关响应。

4. 工业控制与自动化设备:用于工业电机控制、传感器供电管理及小型执行器驱动,适应较宽工作温度范围,稳定性高。

5. 消费类电子产品:如智能家电、LED照明调光系统等,用于功率调节与节能控制。

该器件采用SOT23封装,体积小、易于焊接,适合高密度PCB布局,且具备良好的热稳定性和可靠性,适用于中低功率应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

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产品图片

产品型号

DMN4030LK3-13

PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

604pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12.9nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

30 毫欧 @ 12A,10V

产品目录页面

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供应商器件封装

TO-252-3

其它名称

DMN4030LK3-13DIDKR

功率-最大值

2.14W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.4A (Ta)

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