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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF39N20由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF39N20价格参考。Fairchild SemiconductorFDPF39N20封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDPF39N20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDPF39N20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDPF39N20 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS): FDPF39N20 的耐压值为 200V,适合用于高电压的开关电源电路中,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。它能够高效地控制电流的通断,适用于需要高效率和低功耗的电源管理系统。 2. 电机驱动: 该 MOSFET 可用于驱动中小型电机,如步进电机、直流无刷电机等。其低导通电阻(Rds(on) 典型值为 0.45Ω)有助于减少功率损耗,提高电机运行效率。 3. 逆变器: 在太阳能逆变器或 UPS 系统中,FDPF39N20 可作为开关元件使用。它的高频开关特性使其能够在逆变器中实现高效的能量转换。 4. 负载开关: 由于其低导通电阻和高耐压能力,FDPF39N20 适用于各种负载开关应用,例如汽车电子、工业设备和消费电子产品中的电源管理。 5. 保护电路: 在过流保护、短路保护等电路中,FDPF39N20 可以用作电子开关,快速响应异常情况并切断电流路径,从而保护系统免受损坏。 6. 音频放大器: 在某些音频功率放大器中,MOSFET 可用作输出级器件。FDPF39N20 的高耐压特性和良好的热性能使其成为一种可行的选择。 7. 照明系统: 在 LED 驱动电路中,FDPF39N20 可用于调节电流,确保 LED 的亮度稳定。同时,其高效的开关特性有助于降低热量产生。 总之,FDPF39N20 凭借其高耐压、低导通电阻和出色的开关性能,广泛应用于电力电子领域,特别是在需要处理中高电压和中等电流的应用场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 39A TO-220FMOSFET 200V N-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 39 A |
| Id-连续漏极电流 | 39 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF39N20UniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDPF39N20 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 37 W |
| Pd-功率耗散 | 37 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 56 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 56 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 160 ns |
| 下降时间 | 150 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2130pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 49nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 66 毫欧 @ 19.5A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 150 ns |
| 功率-最大值 | 37W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 28.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 39A (Tc) |
| 系列 | FDPF39N20 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |