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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RCX330N25由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RCX330N25价格参考。ROHM SemiconductorRCX330N25封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RCX330N25参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RCX330N25 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RCX330N25 是由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款 N 沟道功率 MOSFET,常用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。其典型应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器,适用于笔记本电脑、服务器及通信设备的电源模块。 2. 电机驱动:用于电动工具、工业自动化设备和家用电器中的直流电机控制,提供高效、快速的开关性能。 3. 负载开关:作为高侧或低侧开关,控制电池供电系统中的负载连接与断开,常见于便携式电子设备和电动车中。 4. 逆变器系统:应用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)等设备中,实现电能形式的高效转换。 5. 汽车电子:如车载充电系统、LED照明控制和电池管理系统(BMS),满足汽车环境对可靠性和效率的严苛要求。 该器件具备低导通电阻(Rds(on))、高耐压(250V)和大电流承载能力,适合高频开关应用,有助于提升系统效率并减少发热。其封装形式(如TO-252)便于散热和安装,广泛适用于工业、消费类电子及汽车领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 33A TO-220FMMOSFET Nch 250V 33A MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
| Id-连续漏极电流 | 33 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RCX330N25- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RCX330N25 |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 105 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FM |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FM-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 33A (Ta) |