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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HAT2140H-EL-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HAT2140H-EL-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHAT2140H-EL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HAT2140H-EL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HAT2140H-EL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HAT2140H-EL-E是瑞萨电子(Renesas Electronics America)推出的一款P沟道MOSFET,属于单MOSFET晶体管产品系列。该器件主要应用于需要低导通电阻和高效功率管理的便携式电子设备中。 其典型应用场景包括:智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他电池供电设备中的电源开关与负载开关电路。由于其P沟道结构和-20V/4A的额定参数,HAT2140H-EL-E特别适合用于高边开关(High-side Switch),可实现对电源路径的有效控制,如电池与系统之间的连接管理。 此外,该MOSFET具备低栅极电荷和快速开关特性,有助于降低功耗并提升系统效率,因此也广泛用于DC-DC转换器、电压调节模块以及各类电源管理系统中。其小型封装(如PowerSSO-6)节省PCB空间,非常适合高密度布局的消费类电子产品。 综上,HAT2140H-EL-E凭借其高性能、小尺寸和高可靠性,广泛适用于移动设备中的电源管理、负载切换和过流保护等场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 25A 5LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HAT2140H-EL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6500pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 105nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 16 毫欧 @ 12.5A, 10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 25A (Ta) |