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  • 型号: HAT2140H-EL-E
  • 制造商: RENESAS ELECTRONICS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HAT2140H-EL-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HAT2140H-EL-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHAT2140H-EL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HAT2140H-EL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HAT2140H-EL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HAT2140H-EL-E是瑞萨电子(Renesas Electronics America)推出的一款P沟道MOSFET,属于单MOSFET晶体管产品系列。该器件主要应用于需要低导通电阻和高效功率管理的便携式电子设备中。

其典型应用场景包括:智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他电池供电设备中的电源开关与负载开关电路。由于其P沟道结构和-20V/4A的额定参数,HAT2140H-EL-E特别适合用于高边开关(High-side Switch),可实现对电源路径的有效控制,如电池与系统之间的连接管理。

此外,该MOSFET具备低栅极电荷和快速开关特性,有助于降低功耗并提升系统效率,因此也广泛用于DC-DC转换器、电压调节模块以及各类电源管理系统中。其小型封装(如PowerSSO-6)节省PCB空间,非常适合高密度布局的消费类电子产品。

综上,HAT2140H-EL-E凭借其高性能、小尺寸和高可靠性,广泛适用于移动设备中的电源管理、负载切换和过流保护等场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 25A 5LFPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Renesas Electronics America

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

HAT2140H-EL-E

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6500pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

105nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

16 毫欧 @ 12.5A, 10V

供应商器件封装

LFPAK

功率-最大值

30W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-100,SOT-669

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

25A (Ta)

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