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IRF9410PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9410PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9410PBF价格参考。International RectifierIRF9410PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF9410PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9410PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF9410PBF 是 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款 P 沟道 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括但不限于以下方面: 1. 电源管理 - IRF9410PBF 常用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)和电压调节模块(VRM)。由于其低导通电阻(Rds(on))和高耐压能力(Vds = 100V),能够高效地控制电流流动,降低功耗并提高系统效率。 2. 负载切换 - 在需要频繁开启或关闭负载的电路中,例如汽车电子、工业设备或消费电子产品中的负载切换应用,IRF9410PBF 可以作为高效的电子开关使用。 3. 电机驱动 - 该器件适用于小型直流电机的驱动与控制,尤其是在需要反向电压保护或快速启停操作的情况下。其 P 沟道特性使其非常适合用作高边开关。 4. 电池管理系统 - 在电池保护电路中,IRF9410PBF 能够实现对电池充放电过程的精确控制,防止过流、短路或过度放电等问题。它常被用于锂离子电池组或其他类型的可充电电池系统中。 5. 信号放大与缓冲 - 在某些低频信号处理电路中,IRF9410PBF 可用作信号放大或缓冲元件,提供足够的电流增益以驱动后续级联电路。 6. 继电器替代方案 - 在一些需要固态继电器功能的应用场景下,IRF9410PBF 可以替代传统机械继电器,从而减少磨损并提升可靠性。 7. 逆变器与太阳能系统 - 在小型逆变器或太阳能发电系统中,这款 MOSFET 可用于功率转换部分,帮助实现能量的有效传输与分配。 总结 IRF9410PBF 凭借其出色的电气性能(如低栅极电荷、较快的开关速度以及良好的热稳定性),广泛应用于各类电力电子设备中。无论是家用电器、通信设备还是汽车电子领域,都可以找到它的身影。在选择具体应用时,需根据实际需求考虑散热设计及外围电路匹配等因素,确保其工作在安全范围内。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOICMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 30mOhms 18nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9410PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9410PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 18 nC |
| Qg-栅极电荷 | 18 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8.3 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 7A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Ta) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf9410.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf9410.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |