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  • 型号: IRFD120
  • 制造商: Vishay
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IRFD120产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD120由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD120价格参考。VishayIRFD120封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP。您可以下载IRFD120参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFD120 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFD120 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低功耗的场景。以下是 IRFD120 的主要应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器:IRFD120 可用于降压或升压 DC-DC 转换器中,作为主开关管或同步整流管,实现高效的电压转换。
   - 开关电源 (SMPS):在开关电源中,IRFD120 能够处理高频开关操作,提供稳定的输出电压。
   - 电池管理系统:用于电池充放电控制,确保电流和电压的安全范围。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器(如风扇、水泵)等小型直流电机的启动、停止和速度调节。
   - H 桥电路:在 H 桥电路中用作驱动元件,实现电机的正转和反转控制。

 3. 负载切换
   - 负载开关:用于电子设备中的负载通断控制,例如打印机、扫描仪等外设的电源管理。
   - 继电器替代:由于其快速开关特性和低导通电阻,可以替代传统机械继电器,减少磨损和噪音。

 4. 信号放大与驱动
   - 音频放大器:在低功率音频应用中,IRFD120 可用作输出级驱动器件。
   - LED 驱动:适用于高亮度 LED 照明系统,提供精确的电流控制以调节亮度。

 5. 保护电路
   - 过流保护:利用其低导通电阻特性,检测异常电流并切断电路,防止过载损坏其他元器件。
   - 短路保护:快速响应短路事件,避免系统因过流而受损。

 6. 便携式设备
   - 移动设备充电管理:在手机、平板电脑等便携式设备中,用于充电电路的电流控制和保护。
   - USB 接口保护:防止外部设备接入时对内部电路造成损害。

 特性优势
- 低导通电阻 (Rds(on)):降低功耗,提高效率。
- 高开关速度:适合高频应用,减少开关损耗。
- 高可靠性:能够在恶劣环境下稳定工作,适用于工业和消费类电子产品。

总之,IRFD120 凭借其优异的性能参数,在各种电力电子设备中扮演着重要角色,尤其是在需要高效能和小型化设计的应用领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIPMOSFET 100V Single N-Channel HEXFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.3 A

Id-连续漏极电流

1.3 A

品牌

Vishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFD120-

数据手册

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产品型号

IRFD120

Pd-PowerDissipation

1300 mW

Pd-功率耗散

1.3 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

270 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

270 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

27 ns

下降时间

27 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

360pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

270 毫欧 @ 780mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

4-DIP,Hexdip,HVMDIP

其它名称

*IRFD120
IRFD121
IRFD122

典型关闭延迟时间

18 ns

功率-最大值

1.3W

功率耗散

1300 mW

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

270 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

4-DIP(0.300",7.62mm)

封装/箱体

HexDIP-4

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

1.3 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.3A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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