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IRFD120产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD120由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD120价格参考。VishayIRFD120封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP。您可以下载IRFD120参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFD120 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFD120 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低功耗的场景。以下是 IRFD120 的主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:IRFD120 可用于降压或升压 DC-DC 转换器中,作为主开关管或同步整流管,实现高效的电压转换。 - 开关电源 (SMPS):在开关电源中,IRFD120 能够处理高频开关操作,提供稳定的输出电压。 - 电池管理系统:用于电池充放电控制,确保电流和电压的安全范围。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器(如风扇、水泵)等小型直流电机的启动、停止和速度调节。 - H 桥电路:在 H 桥电路中用作驱动元件,实现电机的正转和反转控制。 3. 负载切换 - 负载开关:用于电子设备中的负载通断控制,例如打印机、扫描仪等外设的电源管理。 - 继电器替代:由于其快速开关特性和低导通电阻,可以替代传统机械继电器,减少磨损和噪音。 4. 信号放大与驱动 - 音频放大器:在低功率音频应用中,IRFD120 可用作输出级驱动器件。 - LED 驱动:适用于高亮度 LED 照明系统,提供精确的电流控制以调节亮度。 5. 保护电路 - 过流保护:利用其低导通电阻特性,检测异常电流并切断电路,防止过载损坏其他元器件。 - 短路保护:快速响应短路事件,避免系统因过流而受损。 6. 便携式设备 - 移动设备充电管理:在手机、平板电脑等便携式设备中,用于充电电路的电流控制和保护。 - USB 接口保护:防止外部设备接入时对内部电路造成损害。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on)):降低功耗,提高效率。 - 高开关速度:适合高频应用,减少开关损耗。 - 高可靠性:能够在恶劣环境下稳定工作,适用于工业和消费类电子产品。 总之,IRFD120 凭借其优异的性能参数,在各种电力电子设备中扮演着重要角色,尤其是在需要高效能和小型化设计的应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIPMOSFET 100V Single N-Channel HEXFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.3 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFD120- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFD120 |
| Pd-PowerDissipation | 1300 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 270 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 360pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 270 毫欧 @ 780mA,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
| 其它名称 | *IRFD120 |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 功率耗散 | 1300 mW |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 270 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
| 封装/箱体 | HexDIP-4 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 1.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.3A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |