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产品简介:
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STP36NF06FP 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,其主要应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS): STP36NF06FP 的低导通电阻 (Rds(on)) 和高电流能力使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的开启和关闭,从而提高电源转换效率。 2. 直流电机驱动: 该 MOSFET 可用于驱动小型直流电机,特别是在需要高效开关和低功耗的应用中。其低 Rds(on) 特性减少了功率损耗,适合电池供电设备。 3. 负载开关: 在消费电子、工业控制和其他需要动态管理电源的应用中,STP36NF06FP 可作为高效的负载开关,快速响应负载变化并减少能量浪费。 4. 逆变器和转换器: 它可用于光伏逆变器、DC-DC 转换器等应用中,提供稳定的功率输出和高效的能量转换。 5. 电池保护电路: 在电池管理系统中,STP36NF06FP 可用作保护开关,防止过流、短路或过度放电等情况发生。 6. 汽车电子: 由于其坚固的设计和耐高温能力,该器件适用于汽车电子系统中的各种开关和控制功能,例如电动座椅调节、车窗升降等。 7. LED 驱动器: 在 LED 照明应用中,STP36NF06FP 可用于恒流驱动电路,确保 LED 的亮度稳定并延长使用寿命。 总之,STP36NF06FP 凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于需要高效功率切换和低功耗的场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 18A TO-220FPMOSFET N-Ch, 60V-0.032ohms 30A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP36NF06FPSTripFET™ II |
数据手册 | |
产品型号 | STP36NF06FP |
Pd-PowerDissipation | 25 W |
Qg-GateCharge | 23 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
上升时间 | 40 ns |
下降时间 | 9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 690pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 40 毫欧 @ 15A,10V |
产品种类 | Power MOSFET Transistors |
供应商器件封装 | TO-220FP |
典型关闭延迟时间 | 27 ns |
功率-最大值 | 25W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 12 S |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tc) |
系列 | STP36NF06FP |
配置 | Single |