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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP7N50由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP7N50价格参考。Fairchild SemiconductorFDP7N50封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDP7N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP7N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP7N50 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于中高功率的电源转换和控制电路中。其主要应用场景包括: 1. 电源供应器:用于AC-DC转换器、DC-DC转换器中,作为开关元件,提高电源效率和稳定性。 2. 电机驱动:在直流电机或无刷电机控制系统中作为功率开关,适用于电动车、电动工具、工业自动化设备等。 3. 照明系统:用于LED照明驱动电源,尤其在高亮度LED或工业照明中实现高效能开关控制。 4. 逆变器与变频器:在太阳能逆变器、UPS不间断电源以及变频家电中,作为核心开关元件进行功率调节。 5. 消费电子产品:如充电器、适配器等便携设备电源管理模块中也有广泛应用。 该器件具备低导通电阻、高耐压(500V)和较高电流承载能力(7A),适合高频开关应用,同时具备良好的热稳定性和可靠性,适用于多种中高功率场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 7A TO-220MOSFET 500V N-CHANNEL |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP7N50UniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP7N50 |
| Pd-PowerDissipation | 89 W |
| Pd-功率耗散 | 89 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 760 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 760 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 55 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 940pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 900 毫欧 @ 3.5A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 89W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 2.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Tc) |
| 系列 | FDP7N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |