Datasheet下载- 型号： TPN7R506NH,L1Q
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPN7R506NH,L1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPN7R506NH,L1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPN7R506NH,L1Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPN7R506NH,L1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPN7R506NH,L1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TPN7R506NH, L1Q 的晶体管由 Toshiba Semiconductor and Storage 生产，属于 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）- 单个 类别。该器件是一款性能优异的功率MOSFET，适用于多种高效率、高频率的电力电子应用。 主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS），适用于笔记本电脑、服务器、通信设备等，提供高效能的电能转换。 2. 电机控制：用于无刷直流电机（BLDC）或步进电机的驱动电路中，适用于工业自动化设备、电动工具、家电等场景。 3. 负载开关与电源开关：作为高边或低边开关，用于控制电源的通断，常见于电池供电设备、移动设备和工业控制系统。 4. 汽车电子：如车载充电器、车身控制模块、LED照明驱动等，适用于对可靠性与效率要求较高的车载环境。 5. 消费类电子产品：如智能家电、电源管理模块、智能插座等，用于实现节能、智能控制等功能。 该MOSFET具备低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适合高频开关操作，有助于提高系统效率并减小电路体积，是一款适用于多种中高功率应用场景的通用型功率器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 53A 8TSON |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPN7R506NH |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TPN7R506NH,L1Q |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 13A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-TSON高级 |
| 其它名称 | TPN7R506NHL1QDKR |
| 功率-最大值 | 42W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 26A （Tc） |
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