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Datasheet下载- 型号： PSMN2R7-30PL,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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PSMN2R7-30PL,127产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R7-30PL,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R7-30PL,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R7-30PL,127封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB。您可以下载PSMN2R7-30PL,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN2R7-30PL,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN2R7-30PL,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具有超低导通电阻（Rds(on) 典型值仅 2.7 mΩ @ Vgs=10V，4.5 mΩ @ Vgs=4.5V）、30V 耐压及高达 120A 的脉冲电流能力。其主要应用场景包括： - 高效率 DC-DC 电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流、BUCK/BOOST 转换器主开关或续流管，显著降低导通损耗，提升能效。 - 电机驱动与电子负载：适用于中小功率直流电机（如风机、泵、电动工具）的 H 桥或单向驱动电路，支持 PWM 高频开关（典型工作频率可达数百 kHz），响应快、发热低。 - 热插拔与电源管理：在板级电源保护电路中用作理想二极管或 OR-ing FET，配合控制器实现浪涌抑制、反向电流阻断及冗余电源切换。 - LED 驱动与电池管理系统（BMS）：作为 LED 恒流驱动的调光开关，或在 12V/24V 电池系统中承担充放电路径控制、短路保护开关等功能。 该器件具备强抗雪崩能力、175°C 结温及符合 AEC-Q101 的可靠性标准（注：虽非车规标号，但部分批次通过相关测试），亦可用于严苛工业环境。其逻辑电平兼容性（4.5V 即可充分导通）便于与 MCU、DSP 或栅极驱动 IC 直接连接，简化外围设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V TO220ABMOSFET N-CHAN 30V 100A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R7-30PL,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN2R7-30PL,127 |
| Pd-PowerDissipation | 170 W |
| Pd-功率耗散 | 170 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3954pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-5235 |
| 功率-最大值 | 170W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 2.7 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 100 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
| 配置 | Single |
