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  • 型号: PSMN2R7-30PL,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PSMN2R7-30PL,127产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R7-30PL,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R7-30PL,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R7-30PL,127封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB。您可以下载PSMN2R7-30PL,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN2R7-30PL,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V TO220ABMOSFET N-CHAN 30V 100A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R7-30PL,127-

数据手册

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产品型号

PSMN2R7-30PL,127

Pd-PowerDissipation

170 W

Pd-功率耗散

170 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.15V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3954pF @ 12V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

66nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.7 毫欧 @ 15A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

568-5235
568-5235-5
568-5235-ND
934064005127

功率-最大值

170W

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

2.7 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

100 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tmb)

配置

Single

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