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  • 型号: IRFZ40PBF
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ40PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ40PBF价格参考。VishayIRFZ40PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFZ40PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFZ40PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 IRFZ40PBF 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和功率控制的电子系统中。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC电源模块中,因其低导通电阻和快速开关特性,可提高电源效率并减少能量损耗。

2. 电机驱动:在直流电机、步进电机及小型伺服系统的驱动电路中,IRFZ40PBF能有效控制电流和转速,适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。

3. 逆变器与UPS:用于不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和逆变焊机等设备中,实现直流到交流的高效转换,具备良好的热稳定性和负载切换能力。

4. 照明控制:在LED驱动电源和高强度放电灯(HID)镇流器中,用于调光和开关控制,支持高频率工作,提升系统响应速度。

5. 消费电子与工业控制:适用于充电器、电源适配器、继电器替代和负载开关等场景,具有高可靠性和耐用性。

IRFZ40PBF符合RoHS标准(Pb-free),具备高耐压(VDS=55V)、大电流(ID=12A)和低栅极电荷等特点,适合高频、高效率的功率应用。其TO-220封装便于散热和安装,广泛用于中等功率电子设备中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 50A TO220ABMOSFET N-Chan 50V 50 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

35 A

Id-连续漏极电流

35 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFZ40PBF-

数据手册

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产品型号

IRFZ40PBFIRFZ40PBF

Pd-PowerDissipation

126 W

Pd-功率耗散

126 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

28 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

28 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

50 V

Vds-漏源极击穿电压

50 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

25 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1900pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

67nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

28 毫欧 @ 31A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRFZ40PBF

典型关闭延迟时间

35 ns

功率-最大值

150W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

28 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

50 V

漏极连续电流

35 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

50A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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