Datasheet下载- 型号： 5LP01C-TB-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供5LP01C-TB-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5LP01C-TB-E价格参考。ON Semiconductor5LP01C-TB-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载5LP01C-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有5LP01C-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的5LP01C-TB-E是一款P沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET晶体管。该器件采用先进的功率MOSFET工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和良好的热稳定性，适用于对空间和功耗敏感的应用场景。 5LP01C-TB-E常用于便携式电子设备中的电源管理与负载开关控制，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。其P沟道特性使其在电池供电系统中特别适合用作高端或低端开关，实现对子系统的上电/断电控制，从而降低待机功耗，延长电池续航时间。 此外，该MOSFET也广泛应用于DC-DC转换电路、电压反转电路以及电机驱动、LED驱动等低电压、低电流开关场合。由于其封装小巧（通常为微型贴片封装），非常适合高密度PCB布局，有助于缩小整体产品体积。 总体而言，5LP01C-TB-E凭借其高效能、小尺寸和低功耗特性，主要服务于消费类电子、工业控制和便携式电源管理系统等领域，是现代低功耗电子产品中理想的开关元件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 50V 70MA CP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 5LP01C-TB-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7.4pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 欧姆 @ 40mA，4V |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70mA （Ta） |
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