Datasheet下载- 型号： NTD5807NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD5807NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD5807NT4G价格参考。ON SemiconductorNTD5807NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD5807NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD5807NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD5807NT4G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - NTD5807NT4G 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的开断，降低能量损耗。 - 常见应用包括 DC-DC 转换器、降压/升压转换器和反激式电源。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中，NTD5807NT4G 可作为功率级开关，用于控制电机的启动、停止和速度调节。 - 它的高电流承载能力和快速开关速度确保了电机运行的稳定性和效率。 3. 负载切换 - 该 MOSFET 可用于负载切换电路中，例如 USB 充电器、电池管理系统（BMS）等。它能够快速响应并保护电路免受过流或短路的影响。 4. 电池管理 - 在锂离子电池或其他可充电电池系统中，NTD5807NT4G 可用作电池保护开关，防止过充、过放或短路。 - 它的低导通电阻有助于减少电池路径上的电压降，从而提高整体效率。 5. 汽车电子 - 在汽车电子领域，这款 MOSFET 可用于车身控制模块（BCM）、LED 照明驱动、风扇控制和继电器替代等应用。 - 其耐高温特性和可靠性使其适合严苛的汽车环境。 6. 音频放大器 - 在 D 类音频放大器中，NTD5807NT4G 可作为输出级开关，提供高效的音频信号放大，同时减少热量产生。 7. 工业自动化 - 该 MOSFET 可用于工业自动化设备中的传感器接口、继电器驱动和电磁阀控制等场景。 - 其耐用性和稳定性使其能够在恶劣的工业环境中长期工作。 总结 NTD5807NT4G 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制和通信设备等领域。它的低导通电阻、高开关速度和良好的热性能使其成为许多功率管理应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 23A DPAKMOSFET NFET DPAK 40V 23A 31mOhm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 23 A |
| Id-连续漏极电流 | 23 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD5807NT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD5807NT4G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 33 W |
| Pd-功率耗散 | 33 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 31 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 31 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 111 ns, 20.4 ns |
| 下降时间 | 3.2 ns, 2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 603pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 31 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 11.2 ns, 15.6 ns |
| 功率-最大值 | 33W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 23A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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