Datasheet下载- 型号： FQPF3N80
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF3N80由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF3N80价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF3N80封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF3N80参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF3N80 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF3N80 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于高电压、中等功率的开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如AC-DC适配器、电源供应器、DC-DC转换器等，用于高效能开关操作。 2. 马达控制：在电动工具、风扇、泵等电机驱动电路中作为功率开关使用。 3. 照明系统：用于LED照明或HID灯的驱动电路中，实现调光或开关控制。 4. 消费电子产品：如电视、音响、充电器等设备中的电源管理和开关电路。 5. 工业控制系统：如PLC、工业电源、自动化设备中的功率控制模块。 该MOSFET具有800V高漏源击穿电压和3A连续漏极电流能力，适合高压低电流应用场景。采用TO-220封装，便于散热和安装，广泛用于需要高可靠性和高效率的电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF3N80 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 690pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 900mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 39W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.8A （Tc） |
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