Datasheet下载- 型号： NTHS5404T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHS5404T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHS5404T1G价格参考。ON SemiconductorNTHS5404T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTHS5404T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHS5404T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
安森美半导体（ON Semiconductor）的NTHS5404T1G是一款增强型N沟道MOSFET，广泛应用于需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制及电池供电设备等场景。此外，它也常用于工业自动化、汽车电子和消费类电子产品中的功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFETMOSFET 20V 7.2A N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 7.2 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTHS5404T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTHS5404T1G |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 600mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 5.2A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NTHS5404T1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 25 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 7.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.2A （Ta） |
| 系列 | NTHS5404 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Hex Drain |
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