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Datasheet下载- 型号： IRF8707GTRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF8707GTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF8707GTRPBF价格参考。International RectifierIRF8707GTRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF8707GTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF8707GTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的型号为IRF8707GTRPBF的晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），并且是单通道设计。这种器件通常用于需要高效功率管理的应用场景中，以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：IRF8707GTRPBF可用于开关电源中的功率级，实现高效的电压转换。 - 负载开关：在需要快速开启或关闭负载电流的情况下，该MOSFET可以作为理想的开关元件。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于低功耗、小尺寸的电机驱动应用，例如家用电器、玩具和小型电子设备。 - H桥电路：在双向电机控制中，该MOSFET可以用作H桥的一部分，提供精确的速度和方向控制。 3. 信号切换 - 高速信号切换：由于其较低的导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适合用于高频信号切换场景。 - 音频放大器：在某些低功率音频放大器中，该MOSFET可以用作输出级的开关元件。 4. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护：用于锂电池或其他可充电电池的过流保护、短路保护等。 - 电量监测：通过精确控制电流流动，帮助实现电池电量的高效管理和监测。 5. 工业与消费电子 - LED驱动：用于驱动高亮度LED，特别是在需要调光功能的应用中。 - 智能家居设备：如智能灯泡、智能插座等，利用其高效开关特性实现节能效果。 - 物联网 (IoT) 设备：在低功耗的物联网设备中，该MOSFET可以优化能量使用，延长设备续航时间。 6. 汽车电子 - 车载电子系统：如车窗升降、座椅调节等需要小型化、高效化的电机控制场合。 - 辅助驾驶系统：在传感器供电或信号处理模块中，提供稳定的电流控制。 IRF8707GTRPBF凭借其出色的电气性能（如低导通电阻、高开关速度）和可靠性，广泛应用于上述领域，尤其适合对效率、空间和成本有较高要求的设计方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 760 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOICMOSFET MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF8707GTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF8707GTRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 6.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
| 上升时间 | 7.9 ns |
| 下降时间 | 4.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 760pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.9 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF8707GTRPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 7.3 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 17.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 25 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 11 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta） |
| 配置 | Single |
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