Datasheet下载- 型号： NDT014
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDT014由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDT014价格参考。Fairchild SemiconductorNDT014封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NDT014参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDT014 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDT014 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，常用于低电压、低功耗的开关应用。该器件具有低导通电阻、小封装和良好的热稳定性，适合多种电子电路设计。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的电源控制，提升能效并延长电池寿命。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为开关元件，用于智能家电、电动工具或机器人控制系统。 3. LED照明：用于LED驱动电路中的开关控制，实现高效调光与节能。 4. 工业自动化：作为开关元件用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口和继电器替代方案。 5. 消费类电子产品：广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备中的电源管理模块。 6. 汽车电子：用于车载电源系统、LED车灯控制、电动窗或座椅调节等低功率汽车电子模块。 NDT014凭借其小尺寸（如SOT-23封装）、低门槛电压和良好的可靠性，特别适合空间受限且对功耗敏感的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | +/- 2.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor NDT014- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NDT014 |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 64 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 155pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 200 毫欧 @ 1.6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223-3 |
| 其它名称 | NDT014CT |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 188 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 2 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Ta） |
| 系列 | NDT014 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 零件号别名 | NDT014_NL |
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