Datasheet下载- 型号： DMN2250UFB-7B
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2250UFB-7B由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2250UFB-7B价格参考。Diodes Inc.DMN2250UFB-7B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN2250UFB-7B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2250UFB-7B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DMN2250UFB-7B 是一款N沟道增强型MOSFET，常用于需要高效开关和功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电源开关和负载管理，因其低导通电阻和高效率，适合便携式设备和电源适配器。 2. 电机控制：用于小型电机驱动电路，如电动工具、风扇和泵的控制，提供快速开关和良好热稳定性。 3. 电池供电设备：常见于笔记本电脑、平板、智能手机等设备中，用于电池充放电管理和电源切换。 4. 工业自动化：在PLC、传感器和执行器中作为开关元件，实现对设备的精确控制。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明控制和电机驱动，满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 该MOSFET采用TDFN封装，体积小、散热好，适合高密度PCB布局。其7V栅极电压耐受能力和快速切换特性，使其在高频开关应用中表现优异。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN2250UFB-7B |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 94pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 170 毫欧 @ 1A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006（1.0x0.6） |
| 其它名称 | DMN2250UFB-7BDIDKR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-UFDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.35A （Ta） |
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