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IRFS11N50APBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS11N50APBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS11N50APBF价格参考。VishayIRFS11N50APBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 500V 11A(Tc) 170W(Tc) D2PAK。您可以下载IRFS11N50APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFS11N50APBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFS11N50APBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS): IRFS11N50APBF具有高电压耐受能力(额定电压为500V),适合用于开关电源中的高压开关应用。它可以高效地控制和调节电压输出,适用于离线式开关电源、DC-DC转换器等。 2. 电机驱动: 该器件可用于低频电机驱动电路中,作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻(典型值为1.6Ω)有助于减少功耗并提高效率。 3. 逆变器: 在光伏逆变器或其他类型的逆变器中,IRFS11N50APBF可以用作高频开关元件,将直流电转换为交流电。其快速开关特性和高耐压能力使其非常适合此类应用。 4. 负载切换: 该MOSFET可应用于需要高电压负载切换的场合,例如工业控制系统或家用电器中,用于安全地开启或关闭高电压负载。 5. PFC(功率因数校正)电路: 在功率因数校正电路中,IRFS11N50APBF可以作为主开关器件,帮助提高系统的功率因数,降低谐波失真。 6. 保护电路: 利用其高耐压特性,该器件可以用于过压保护、短路保护等电路中,确保系统在异常情况下仍能安全运行。 7. 家电和工业设备: 在需要高电压控制的家电(如空调、洗衣机等)和工业设备中,IRFS11N50APBF能够提供可靠的开关性能。 总体而言,IRFS11N50APBF适用于需要高电压、低功耗和快速开关性能的各种电力电子应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAKMOSFET N-Chan 500V 11 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFS11N50APBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91286 |
| 产品型号 | IRFS11N50APBFIRFS11N50APBF |
| Pd-PowerDissipation | 170 W |
| Pd-功率耗散 | 170 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 520 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 520 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1423pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 520 毫欧 @ 6.6A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRFS11N50APBF |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 170W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |