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IRFPF50PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFPF50PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFPF50PBF价格参考。VishayIRFPF50PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 900V 6.7A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3。您可以下载IRFPF50PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFPF50PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFPF50PBF 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有较高的电流处理能力和耐压能力,适用于多种电力电子应用场景。以下是 IRFPF50PBF 的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) IRFPF50PBF 的高电压和大电流特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以在高频条件下高效地切换电压和电流,从而实现稳定的直流输出。 2. 电机驱动 由于其低导通电阻(Rds(on))和快速开关性能,IRFPF50PBF 可以用于驱动中小型电机。它能够承受电机启动时的高电流冲击,并提供高效的电能转换。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或 UPS 系统中,IRFPF50PBF 可用作功率级器件,将直流电转换为交流电。它的高效率和散热性能有助于提高系统的整体效能。 4. DC-DC 转换器 在 DC-DC 转换电路中,IRFPF50PBF 可作为主开关或同步整流器使用。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高转换效率。 5. 负载开关和保护电路 IRFPF50PBF 可用于设计负载开关或过流保护电路。通过控制栅极电压,它可以快速切断异常电流,保护系统免受损害。 6. 音频放大器 在功率音频放大器中,IRFPF50PBF 可用作输出级器件,提供足够的电流驱动扬声器,同时保持低失真和高效率。 7. 电池管理系统(BMS) 在电池管理系统中,IRFPF50PBF 可用于充放电控制、过压/欠压保护以及均衡电路中,确保电池组的安全和稳定运行。 总之,IRFPF50PBF 凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景中,尤其是在工业、消费电子和通信领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247ACMOSFET N-Chan 900V 6.7 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFPF50PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFPF50PBFIRFPF50PBF |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 34 ns |
| 下降时间 | 37 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 200nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.6 欧姆 @ 4A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | *IRFPF50PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 130 ns |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.7A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |