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  • 型号: IRFPF50PBF
  • 制造商: Vishay
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IRFPF50PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFPF50PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFPF50PBF价格参考。VishayIRFPF50PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 900V 6.7A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3。您可以下载IRFPF50PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFPF50PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFPF50PBF 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有较高的电流处理能力和耐压能力,适用于多种电力电子应用场景。以下是 IRFPF50PBF 的主要应用场景:

1. 开关电源(SMPS)  
   IRFPF50PBF 的高电压和大电流特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以在高频条件下高效地切换电压和电流,从而实现稳定的直流输出。

2. 电机驱动  
   由于其低导通电阻(Rds(on))和快速开关性能,IRFPF50PBF 可以用于驱动中小型电机。它能够承受电机启动时的高电流冲击,并提供高效的电能转换。

3. 逆变器  
   在太阳能逆变器或 UPS 系统中,IRFPF50PBF 可用作功率级器件,将直流电转换为交流电。它的高效率和散热性能有助于提高系统的整体效能。

4. DC-DC 转换器  
   在 DC-DC 转换电路中,IRFPF50PBF 可作为主开关或同步整流器使用。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高转换效率。

5. 负载开关和保护电路  
   IRFPF50PBF 可用于设计负载开关或过流保护电路。通过控制栅极电压,它可以快速切断异常电流,保护系统免受损害。

6. 音频放大器  
   在功率音频放大器中,IRFPF50PBF 可用作输出级器件,提供足够的电流驱动扬声器,同时保持低失真和高效率。

7. 电池管理系统(BMS)  
   在电池管理系统中,IRFPF50PBF 可用于充放电控制、过压/欠压保护以及均衡电路中,确保电池组的安全和稳定运行。

总之,IRFPF50PBF 凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景中,尤其是在工业、消费电子和通信领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247ACMOSFET N-Chan 900V 6.7 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6.7 A

Id-连续漏极电流

6.7 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFPF50PBF-

数据手册

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产品型号

IRFPF50PBFIRFPF50PBF

Pd-PowerDissipation

190 W

Pd-功率耗散

190 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.6 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.6 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

900 V

Vds-漏源极击穿电压

900 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

34 ns

下降时间

37 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2900pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

200nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.6 欧姆 @ 4A,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

*IRFPF50PBF

典型关闭延迟时间

130 ns

功率-最大值

190W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

25

漏源极电压(Vdss)

900V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.7A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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