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STD11NM60ND产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD11NM60ND由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD11NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTD11NM60ND封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 10A(Tc) 90W(Tc) DPAK。您可以下载STD11NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD11NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STD11NM60ND是STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别的产品。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - STD11NM60ND具有低导通电阻和高击穿电压(600V),非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的开启和关闭,适用于各种AC-DC或DC-DC转换器。 2. 电机驱动 - 在电机驱动应用中,这款MOSFET可以用作驱动电路中的开关元件。其高耐压特性和良好的热性能使其能够承受电机启动时的高电流冲击。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,STD11NM60ND可以作为功率级开关器件,用于将直流电转换为交流电。其高效率和稳定性有助于提高逆变器的整体性能。 4. 电磁阀和继电器驱动 - 由于其高耐压能力,STD11NM60ND适合用于驱动需要高压工作的电磁阀或继电器。它可以提供足够的电流来激活这些负载,并且能够在断开时快速释放能量。 5. 电池管理系统(BMS) - 在电池管理系统中,这款MOSFET可以用作保护开关,防止过充、过放或短路等情况发生。它的低导通电阻有助于减少功耗,延长电池寿命。 6. 工业自动化设备 - 在工业自动化领域,STD11NM60ND可用于控制各种负载,如传感器、执行器和其他电力设备。其耐用性和可靠性使其成为工业环境的理想选择。 7. 家电和消费电子 - 该型号也可用于家用电器(如洗衣机、空调等)中的功率控制部分,以及一些消费电子产品中的电源管理模块。 总结 STD11NM60ND凭借其高击穿电压、低导通电阻和出色的热性能,在需要高效功率切换和高电压承受能力的应用中表现出色。无论是工业设备、家用电器还是新能源领域,这款MOSFET都能提供可靠的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A DPAKMOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD11NM60NDFDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD11NM60ND |
| Pd-PowerDissipation | 90 W |
| Pd-功率耗散 | 90 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 450 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 450 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 450 毫欧 @ 5A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-8477-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF211333?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 90W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |
| 系列 | STD11NM60ND |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |