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Datasheet下载- 型号： STB38N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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STB38N65M5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB38N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB38N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTB38N65M5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 650V 30A（Tc） 190W（Tc） D2PAK。您可以下载STB38N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB38N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的STB38N65M5是一款N沟道增强型MOSFET，属于MDmesh™ M5技术系列。这款器件具有650V的高击穿电压和低导通电阻（典型值为0.38Ω），适用于多种高压开关应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）： STB38N65M5常用于开关电源中的功率开关，例如反激式、正激式或LLC谐振转换器。其高耐压特性和优化的Rds(on)使其在高频开关条件下表现出色，能够有效降低传导损耗。 2. 电机驱动： 在工业控制和家用电器中，该MOSFET可用于驱动直流无刷电机（BLDC）或其他类型的电机。其快速开关特性和低导通损耗有助于提高效率并减少发热。 3. 逆变器： 该器件适用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和其他电力转换系统。其高耐压性能可以承受电网波动，而低导通电阻则有助于提高整体效率。 4. PFC电路（功率因数校正）： 在需要功率因数校正的应用中，STB38N65M5可以用作升压开关，帮助改善系统的功率因数并满足相关法规要求。 5. 负载切换与保护： 在高压负载切换场景中，这款MOSFET可以用作电子开关，实现负载的快速开启和关闭，同时提供过流保护功能。 6. 汽车电子： 虽然STB38N65M5并非专为汽车设计，但在某些非关键车载应用中（如照明、辅助设备控制等），它也可以作为高压开关使用。 总结来说，STB38N65M5凭借其高耐压、低导通电阻和优异的动态性能，广泛应用于各种工业、消费类和商业领域的高压功率转换和控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 30A D2PAKMOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB38N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB38N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 95 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 95 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3000pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 71nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 95 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | 497-13086-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253402?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 系列 | STB38N65M5 |
