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  • 型号: PSMN8R2-80YS,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PSMN8R2-80YS,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN8R2-80YS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN8R2-80YS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN8R2-80YS,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 80V 82A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8。您可以下载PSMN8R2-80YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN8R2-80YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 PSMN8R2-80YS,115 是一款80V N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻(典型值8.2mΩ)和高电流处理能力,适用于高效能电源管理场景。其主要应用场景包括:

1. 电源转换系统:广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC电源适配器中,因其低导通损耗可提升整体能效,减少发热。

2. 电动工具与电池管理系统:适用于锂电池供电设备(如电动工具、电动自行车、便携式设备)中的电池保护板和充放电控制电路,提供高效开关和过流保护。

3. 电机驱动:在小型电机控制(如风扇、泵、家用电器电机)中作为驱动开关元件,实现快速响应和低功耗运行。

4. 汽车电子:用于车载电源系统、LED车灯驱动、车身控制模块等,满足汽车行业对高可靠性与高温工作性能的要求。

5. 工业与消费类电子:适用于工业电源、照明控制、USB PD快充充电器等高密度电源设计,支持紧凑型散热设计。

该器件采用LFPAK56(PowerSO-8)封装,具备优良的热性能和机械可靠性,适合自动化生产,是追求高效率、小体积应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 80V 82A LFPAKMOSFET N-CH 80V 8.5 mOhm Standard MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

82 A

Id-连续漏极电流

82 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN8R2-80YS,115-

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产品型号

PSMN8R2-80YS,115

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

130 W

Pd-功率耗散

130 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

8.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

80 V

Vds-漏源极击穿电压

80 V

上升时间

22 ns

下降时间

16 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3640pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

55nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.5 毫欧 @ 15A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

LFPAK56, Power-SO8

其它名称

568-4904-2
934063935115

典型关闭延迟时间

51 ns

功率-最大值

130W

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-100,SOT-669,4-LFPAK

封装/箱体

LFPAK33-4

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1,500

漏源极电压(Vdss)

80V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/LFPAK.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

82A (Tc)

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