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  • 型号: BSP322PH6327XTSA1
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSP322PH6327XTSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP322PH6327XTSA1价格参考。InfineonBSP322PH6327XTSA1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSP322PH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP322PH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的BSP322PH6327XTSA1是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,属于单通道MOSFET产品系列。其主要应用场景包括:

 1. 电源管理
   - 该MOSFET适用于各种开关电源(SMPS)设计,例如DC-DC转换器、降压/升压电路等。
   - 在电池管理系统(BMS)中,用于控制充电和放电路径,提供高效的功率切换。

 2. 电机驱动
   - BSP322PH6327XTSA1可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,实现高效的速度和方向控制。
   - 在消费电子设备(如电动工具、家用电器)中作为开关元件使用。

 3. 负载开关
   - 在便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中,用作负载开关以降低功耗并保护电路。
   - 提供快速的导通和关断特性,减少动态损耗。

 4. 汽车电子
   - 应用于车载电子系统中的信号切换和功率分配,例如车身控制模块(BCM)、LED照明驱动等。
   - 符合车规级要求(AEC-Q101),适合严苛环境下的稳定运行。

 5. 信号切换
   - 在通信设备和工业控制系统中,用于高频信号的切换和隔离。
   - 其低导通电阻(Rds(on))和高开关速度使其成为理想选择。

 6. 保护电路
   - 用作过流保护、短路保护或反向极性保护的关键元件。
   - 在USB接口保护电路中,防止异常电流对后端设备造成损害。

 技术优势
- 低导通电阻:提高效率,减少发热。
- 高开关频率:支持高频应用,优化动态性能。
- 紧凑封装:节省PCB空间,便于小型化设计。

总之,BSP322PH6327XTSA1凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
ChannelMode

Enhancement

Id-ContinuousDrainCurrent

1 A

Id-连续漏极电流

1 A

品牌

Infineon Technologies

产品目录

半导体

描述

MOSFET SIPMOS Sm-Signal 800mOhm -100V -1A

产品分类

分离式半导体

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP322PH6327XTSA1

产品型号

BSP322PH6327XTSA1

Pd-PowerDissipation

1.8 W

Pd-功率耗散

1.8 W

Qg-GateCharge

12.4 nC

Qg-栅极电荷

12.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

600 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

600 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 100 V

Vds-漏源极击穿电压

- 100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1.5 V

上升时间

4.3 ns

下降时间

8.3 ns

产品种类

MOSFET

典型关闭延迟时间

21.2 ns

商标

Infineon Technologies

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

正向跨导-最小值

0.7 S

系列

BSP322

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SP001058784

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