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产品简介:
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Infineon Technologies的BSP322PH6327XTSA1是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,属于单通道MOSFET产品系列。其主要应用场景包括: 1. 电源管理 - 该MOSFET适用于各种开关电源(SMPS)设计,例如DC-DC转换器、降压/升压电路等。 - 在电池管理系统(BMS)中,用于控制充电和放电路径,提供高效的功率切换。 2. 电机驱动 - BSP322PH6327XTSA1可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,实现高效的速度和方向控制。 - 在消费电子设备(如电动工具、家用电器)中作为开关元件使用。 3. 负载开关 - 在便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中,用作负载开关以降低功耗并保护电路。 - 提供快速的导通和关断特性,减少动态损耗。 4. 汽车电子 - 应用于车载电子系统中的信号切换和功率分配,例如车身控制模块(BCM)、LED照明驱动等。 - 符合车规级要求(AEC-Q101),适合严苛环境下的稳定运行。 5. 信号切换 - 在通信设备和工业控制系统中,用于高频信号的切换和隔离。 - 其低导通电阻(Rds(on))和高开关速度使其成为理想选择。 6. 保护电路 - 用作过流保护、短路保护或反向极性保护的关键元件。 - 在USB接口保护电路中,防止异常电流对后端设备造成损害。 技术优势 - 低导通电阻:提高效率,减少发热。 - 高开关频率:支持高频应用,优化动态性能。 - 紧凑封装:节省PCB空间,便于小型化设计。 总之,BSP322PH6327XTSA1凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域。
参数 | 数值 |
ChannelMode | Enhancement |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
Id-连续漏极电流 | 1 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal 800mOhm -100V -1A |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP322PH6327XTSA1 |
产品型号 | BSP322PH6327XTSA1 |
Pd-PowerDissipation | 1.8 W |
Pd-功率耗散 | 1.8 W |
Qg-GateCharge | 12.4 nC |
Qg-栅极电荷 | 12.4 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 600 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.5 V |
上升时间 | 4.3 ns |
下降时间 | 8.3 ns |
产品种类 | MOSFET |
典型关闭延迟时间 | 21.2 ns |
商标 | Infineon Technologies |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
正向跨导-最小值 | 0.7 S |
系列 | BSP322 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SP001058784 |