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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB390N15A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB390N15A价格参考。Fairchild SemiconductorFDB390N15A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDB390N15A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB390N15A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB390N15A 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率开关的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,实现高效的能量转换,适用于服务器、通信设备和工业电源系统。 2. 电机控制:在电机驱动器和电动工具中作为功率开关,控制电机的启停与转速,具有快速开关和低导通电阻的优势。 3. 负载开关:用于电池供电设备中的负载切换,如笔记本电脑、平板和智能设备,以提高能效和延长电池寿命。 4. 逆变器与变频器:在UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和工业变频器中,作为核心开关元件,实现直流到交流的高效转换。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、电机控制和LED照明驱动,满足汽车环境对高可靠性和耐温性能的要求。 该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(150V)和大电流承载能力(约30A),适用于高频率开关操作,具备良好的热稳定性和耐用性,适合高功率密度设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 150V 27A D2PAKMOSFET 150V NCHAN PwrTrench |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 27 A |
Id-连续漏极电流 | 27 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB390N15APowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDB390N15A |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 75 W |
Pd-功率耗散 | 75 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 33.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 33.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1285pF @ 75V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18.6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 39 毫欧 @ 27A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D²PAK |
其它名称 | FDB390N15ADKR |
功率-最大值 | 75W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 1.312 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 27A (Tc) |
系列 | FDB390N15A |