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Datasheet下载- 型号： IRFS4229TRLPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS4229TRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS4229TRLPBF价格参考。International RectifierIRFS4229TRLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFS4229TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS4229TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFS4229TRLPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） IRFS4229TRLPBF适用于各种开关电源设计，包括AC-DC和DC-DC转换器。其低导通电阻（Rds(on)）和高效率特性使其成为功率转换的理想选择，可广泛用于计算机电源、适配器和工业电源模块。 2. 电机驱动 该器件可用于低电压电机驱动应用，例如无刷直流电机（BLDC）和步进电机控制。其快速开关特性和低损耗性能有助于提高电机驱动系统的效率和可靠性。 3. 电池管理系统（BMS） 在电池保护和管理中，IRFS4229TRLPBF可用作充电/放电路径的开关元件，实现过流保护、短路保护以及电池平衡等功能。 4. 逆变器和变频器 此MOSFET适用于小型逆变器和变频器电路，支持高效的能量转换和精确的输出控制，常用于家用电器（如空调、冰箱）和工业设备。 5. 负载切换和保护 在需要频繁切换负载的应用中，例如汽车电子、LED驱动和通信设备中，IRFS4229TRLPBF能够提供稳定的开关性能和保护功能。 6. 光伏（太阳能）系统 该器件可用于光伏微逆变器或优化器中，以实现高效的能量采集和转换，同时降低系统功耗。 7. 消费电子产品 在便携式设备（如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的充电器）中，IRFS4229TRLPBF可以作为同步整流或负载开关使用，提供高性能和小尺寸解决方案。 总之，IRFS4229TRLPBF凭借其优异的电气特性和可靠性，适用于多种功率管理和控制场景，尤其适合需要高效能、低功耗和紧凑设计的应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 45A D2PAKMOSFET MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 45 A |
| Id-连续漏极电流 | 45 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS4229TRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS4229TRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 330 W |
| Pd-功率耗散 | 330 W |
| Qg-GateCharge | 72 nC |
| Qg-栅极电荷 | 72 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 48 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 48 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 31 ns |
| 下降时间 | 21 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4560pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 48 毫欧 @ 26A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 330W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 800 |
| 正向跨导-最小值 | 83 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 45A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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